型号:

DMN100-7-F

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN100-7-F PDF
产品变化通告 Copper Bond Wire Change 3/May/2011
产品目录绘图 SC-59 Package Top
SC-59 Package Side
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 240 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 150pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SC-59-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN100-FDICT
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